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富士通1Mb FeRAM适用于智能电表等电器设备 作者:本宏科技 时间:2013-6-19 13:58:33 阅读次数:4493
富士通微电子(美国)公司日前推出两款1Mb容量的FeRAM (铁电存储器),分别是MB85R1001 (×8位)和MB85R1002 (×16位)。它们均采用最新的0.35μm 1T1C单元技术开发,具有读写速度快、功耗低且数据保存持久的特点。
富士通公司称,上述两款FeRAM的设计完全适合用作智能电表、办公设备(包括打印机、复印机和便携资料处理设备)及家用电器(如微波炉和洗衣机)中的非易失性存储器。此器件兼具RAM和ROM的特点,支持包括存储安全信息及状态监控等功能。
其中MB85R1001 FeRAM存储格式为128K字×8,而MB85R1002为64K字×16。这两款器件的工作电源电压在3V至3.6V之间,读取时间为100ns,读写周期为250ns。数据保持时间超过10年,可存取次数大于100亿,工作温度范围为-40℃到85℃。 |