首页 > 新闻媒体 > 行业新闻
新闻媒体  News
 
行业新闻

128Kb的铁电存储器

作者:本宏科技    时间:2013-6-19 14:49:29    阅读次数:2257

富士通公司继成功量产64Kb 铁电存储器后,最近又成功量产了128Kb的铁电存储器,这给众多的铁电存储器用户带来了方便,之前Ramtron公司主要提供64Kb和256Kb的FRAM,
富士通此举有力地推动了铁电存储器FRAM的技术进步和发展!受益的是广大的用户!!

富士通公司铁电存储器的技术优势

FRAM产品结合了ROM的非易性数据存储性能和RAM的优势,具有较长的读写次数、高速读写周期和低功耗特点。我们的F-RAM产品线具有多种接口和容量,包括工业标准的串行和并行接口;工业标准的封装类型;64Kb、128Kb、256Kb、1Mb、2Mb和4Mb, 8Mb存储容量所有Ramtron的F-RAM产品具备的3大特点,使其不同于其他非易失性存储技术:
快速写入FRAM执行写操作的速度和读操作的速度一样快。就在总线速度下写数据而言,F-RAM对写入的数据变成非易失性数据并没有延迟。与基于浮栅技术的非易失性存储器5毫秒的数据读写延时相比,F-RAM的写入速度只为几十纳秒,在汽车安全系统应用中必不可少。

高耐久性
F-RAM提供较高写入的耐久性,这就意味着它不存在像其他非易失性存储器件那样。对于采用浮栅技术的非易失性存储器而言,存在1E5时钟周期的硬故障和无法写入,不适合应用于高耐久性的应用。

低功耗
F-RAM操作无需(高压)充电激励,因此可以降低功耗。采用浮栅技术的非易失存储器在写操作过程中需要高电压支持,而F-RAM的写操作只需要本身制造工艺的的电压:5V,3V或通过提高工艺使电压更低。

 

任何技术问题或样品需求可以随时联系我们

回到顶部】【返回