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ReRAM


ReRAM: 可变电阻式随机存取存储器
ReRAM是一种非易失性存储器,通过向金属氧化物薄膜施加脉冲电压,产生大的电阻差值来存储“0”和“1”。
其结构非常简单,两侧电极将金属氧化物包夹于中间,这简化了制造工艺,同时可实现低功耗和高速重写等卓越性能。
此存储器具备行业最低读取电流,非常适用于可穿戴设备和助听器。

 

Part Number

Memory
Density

Power
Supply
Voltage

Read
current

Operating
Freq.

Operating
Temp.

Operating
Temp.

Package

MB85AS4MT

4Mbits

1.65~3.6V

10μA

5MHz

Unlimited

-40~85℃

SOP-8

MB85AS8MT

8Mbits

1.6~3.6V

5μA

10MHz

Unlimited

-40~85℃

SOP-8

WLCSP-11

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